全球領先的半導體存儲器解決方案供應商美光（Micron）近日更新了其在美國的擴建計劃，公司表示，位于愛達荷州博伊西（Boise）的總部新DRAM內存晶圓廠預計將于2027財年投入運營，而紐約州克萊（Clay）的晶圓廠則預計將在2028財年或之后開始生產。美光的財年始于上一個日歷年9月，止于同年8月。
具體而言，愛達荷州博伊西的新晶圓廠計劃于2026年9月至2027年8月期間投產，而紐約州克萊的首座晶圓廠則將在2027年9月至2028年8月間進入正式生產階段。美光此舉旨在進一步擴大其全球生產規模，以滿足不斷增長的存儲需求。
美光表示，將對這些晶圓廠未來設備支出的時間線進行精準管理，確保供應增長與預期需求增長保持一致。此前，美光已宣布將在2030年前斥資500億美元在博伊西和克萊分別建設一座和兩座先進DRAM內存晶圓廠，并計劃在未來追加750億美元在克萊建設另外兩座內存晶圓廠。
在財務支持方面，美光得到了美國聯邦政府和紐約州政府的支持。根據初步協議，美國聯邦政府將向美光提供最多61.4億美元的直接補貼和75億美元的貸款支持，而紐約州政府也將提供價值55億美元的激勵措施。
值得注意的是，盡管美光尚未啟動紐約州克萊晶圓廠的建設工作，但公司表示已充分考慮了項目用地上的環境問題，包括兩種瀕臨滅絕的蝙蝠的棲息地。彭博社早前報道指出，美光需要等待蝙蝠進入冬眠期后才能砍伐其夏季棲息地的樹木。對此，美光回應稱，蝙蝠棲息地等環境審批問題早已被納入其建設時間表，并計劃于2025年初開始項目建設。
此次擴建計劃進一步鞏固了美光在全球半導體存儲市場的領先地位，同時也預示著未來半導體行業將繼續呈現增長態勢。隨著新技術的不斷發展和應用，半導體存儲器的需求預計將持續增長，美光等領先企業的持續投入和產能擴張將對整個行業產生深遠影響。
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